上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 140
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上海伯東美國-KRi-射頻離子源-RFICP

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商品介紹
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品牌 KRi
產(chǎn)地 美國
型號 RFICP140
最大離子束流 > 500mA
離子束動能 100-1200eV
氣體 Ar, O2, N2,其他
流量 5-40sccm
離子束柵極 14cm Φ
離子束流形狀 平行,聚焦,散射
中和器 LFN 2000
商品介紹
價格貨期電議

上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.

射頻離子源 RFICP140

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數(shù):

陽極

電感耦合等離子體
1kW & 1.8 MHz
射頻自動匹配

最大陽極功率

1kW

最大離子束流

> 500mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2,其他

流量

5-40sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學, 自對準

OptiBeamTM

離子束柵極

14cm Φ

柵極材質

鉬, 石墨

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000

高度

25.1 cm

直徑

24.6 cm

鎖緊安裝法蘭

12”CF


KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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公司名稱 上海伯東真空產(chǎn)品事業(yè)部
聯(lián)系賣家 葉南晶 （QQ：2821409400）
電話 쑡쑤쑥-쑠쑡쑟쑦쑝쑠쑥쑥
手機 쑥쑝쑞쑥쑢쑢쑝쑣쑤쑦쑣
地址 上海市浦東新區(qū)
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